由英諾賽科(珠海)科技有限公司自主研發的中國首條8英寸硅基氮化鎵生產線11月9日在珠海正式通線投產。主要產品包括100V-650V氮化鎵功率器件，設計及性能均達到國際最先進水平。產品將廣泛應用於電力電子、新能源、電動汽車、信息與通信和智能工業等領域。

英諾賽科(珠海)科技有限公司擁有世界領先的8英寸硅基氮化鎵外延技術，突破了低翹曲度、低缺陷及位錯密度、低漏電晶圓制造的全球性挑戰，將碎片率大幅降至1%以下領先水平。

點評：

氮化鎵又被稱作第三代半導體，是當今世界上最具潛力的半導體材料之一，並被預言將會在不久的未來改變世界。硅基氮化鎵產業早在20年前就開始在歐洲和美國等地發展，如今在產品和技術方面已經取得了重大進展。然而，在中國該產業才剛起步，中國此前在這一產品領域尚屬空白。

業內專家認為，氮化鎵產業已經到了爆發前夜，在8英寸硅基氮化鎵晶圓產業化上取得重大突破，將為中國在半導體領域實現“換道超車”作出重要貢獻。

正如中國半導體行業協會執行副理事長兼秘書長徐小田所言，在這個行業裡，企業隻有建立起自己的研發體系、人才體系，這樣才能不斷進步，不斷領先。（記者 龍躍梅）

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