自主创新增实力 知识产权添动力

2018年06月01日09:15  来源:中国知识产权报
 
原标题:想了解中科院苏州纳米所的高价值专利培育工作?看这里

编者按:培育高价值专利,推动高质量发展,苏州纳米所强化专利运用与管理,形成知识产权优势。相关人员表示,近3年来,苏州纳米所正在力争从追求纳米碳材料专利的数量转向高质量,从提交专利申请转向专利经营和服务,更好地支撑科研和产业发展。

“在这个项目中,我们利用可控合成的方法,制备合成了兼具聚合物分离效率高和小分子批次间重复性好的外围功能化修饰的树枝型结构的共轭化合物,并利用该类树形化合物进行了SWCNT的选择性分离研究。”在近日中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所(下称苏州纳米所)举办的高价值专利培育成果发布暨江苏省产业技术研究院纳米碳材料技术转移大会上,苏州纳米所研究员赵建文向参会人员介绍了由5件中国专利、1件通过《专利合作条约》(PCT)途径提交的国际专利申请组成的高性能半导体碳纳米管分离纯化及应用专利包中的研发成果。在此次发布会上,苏州纳米所发布了11个纳米碳材料领域相关专利包,展示了百余件纳米碳材料及应用产品的相关专利。

“苏州纳米所是江苏省2015年首批高价值专利培育计划的实施单位之一,成立了纳米碳材料规模化应用领域高价值专利培育示范中心。近3年来,苏州纳米所正在力争从追求纳米碳材料专利的数量转向高质量,从提交专利申请转向专利经营和服务,更好地支撑科研和产业发展。”苏州纳米所所长杨辉表示。

 创新模式促转化

“碳纳米管在防刺防弹领域具有巨大的应用市场,而在进行专利态势分析检索时,我们发现全球相应的专利布局极少,项目组结合这一特点,对国内外专利、期刊文献等进行了全面深度检索,进一步明确了技术空白点。围绕这一技术空白点重点项目组提交了相关专利申请,并在目标市场进行布局,占据专利主动权。目前,该专利组合已经实现了转化。”苏州纳米所技术转移中心主任张双益讲解高价值专利培育与运用的思路时介绍。

高价值专利培育工作推动苏州纳米所新增了纳米碳国内发明专利78件,通过《专利合作条约》(PCT)途径提交国际专利申请17件,形成专利组合10余个。与以往先闷头研发后进行应用不同,苏州纳米所在开展研发之初便着手市场探索与专利布局规划,探索出“保留国际申请权+中国申请权打包转让”与“专利组合许可+后续研发经费支持”的创新专利运营模式,目前已实现近3000万元的直接交易额。

“研发人员在纳米碳材料基础研究之上延伸出更接近应用领域的“树枝”,对此感兴趣的企业有很多。苏州纳米所会在高价值专利培育中形成专利运营方案,为纳米碳材料相关技术的转化应用搭桥铺路。”张双益介绍,对内,苏州纳米所统筹成立由所长办公室领导的技术转移中心,负责知识产权政策、工作规划;苏州纳米所还全资设立了苏州纳方科技发展有限公司作为实施技术转移项目运作的经营性实体,成为中国科学院与社会、知识与资本、国际与国内之间技术、资金和人力等资源合作交流的平台。对外,苏州纳米所组建了“研企服三位一体”创新合作团队,通过企业将研究所触角伸向市场,组织高端知识产权服务机构提供专利信息和布局规划技术支撑,打通了专利转化渠道。

 加强管理助布局

苏州纳米所技术转移中心王鹏飞向记者展示了一份碳纳米管态势分析报告,在这份报告里,包含了80多个技术分支的检索及分析,从粉体技术、薄膜技术、纤维技术以及阵列技术4个方向展开分析,对该技术的专利数量、竞争力、强度、图景等进行分析,并梳理不同技术方向的发展脉络。王鹏飞表示,委托知识产权服务机构开展调查分析、形成态势分析报告,是进行专利布局第一步,有助于项目组了解相关领域的发展现状。

两个主题的知识产权信息平台同样让人眼前一亮。在苏州纳米所定制化的知识产权全生命周期管理平台中,“专利列表及表单”“数据导入”等模块让专利管理更加便捷。而专利信息共享平台则覆盖石墨烯领域50个技术分支,2.0279万件专利,同时支持检索、分析、预警等功能。

“只有在专利布局前做好详尽的分析,有效管理自身专利,才能做到在应用层面有的放矢。”王鹏飞介绍,以碳纳米管和石墨烯两个纳米碳材料领域为基础,苏州纳米所完成了3年的态势报告及一系列预警简报,形成了一套专利信息预警机制。同时,苏州纳米所通过分析目前高校、研究所重大科研项目专利管理方面的共性问题,结合苏州纳米所科研活动全生命周期管理、运营需求,建立了一套《高价值专利培育管理规范》标准;系统研究了国内外现有专利价值分析指标,以苏州纳米所近500件专利为研究分析对象,建立了一套适用于高校和研究所的自动化分析程度极高的高价值专利指标体系;在布局过程中,从战略、技术、应用与市场布局等多方面考虑,逐渐固化、形成了一套高价值专利培育布局规范。

在高价值专利培育成果发布会后,多家企业、投资机构明确表达出就苏州纳米所专利项目进行合作的意向,新一轮的合作洽谈正在推进。(吴珂)

(责编:王小艳、王珩)