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存儲器芯片專利競爭態勢分析

2018年09月19日13:13 | 來源:中國知識產權報
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原標題:存儲器芯片專利競爭態勢分析

圖1 主要競爭對手專利申請趨勢

圖2 主要競爭對手本國技術分布

近日,福建省晉華集成電路有限公司(下稱福建晉華)與台灣半導體企業聯華電子股份有限公司(下稱聯華電子)對美國美光中國子公司發起的專利訴訟再次引發關注。臨時禁令的發出雖然標志著我國在存儲器領域反擊美國打出了漂亮的一仗,但是要想在國際市場取得一席之地,還要克服諸多困難。筆者將從目前各方的專利布局情況進行分析,希望能對國內存儲器企業發展有所啟發。

存儲芯片產業格局

存儲器芯片領域主要劃分為兩類:一類是易失性存儲器,就是斷電后存儲器內存儲的信息立即消失,例如DRAM,其中PC機內存和手機內存大約佔六成。另一類是非易失性存儲器,即斷電以后存儲器內存儲的信息仍然存在,主要是閃存(NAND FLASH 和 NOR FLASH),前者用於數據存儲,后者則用於代碼存儲介質中。

半導體存儲器是一個高度壟斷的市場,以DRAM和NAND FLASH兩種主要的存儲器芯片為例,其中DRAM的全球市場幾乎被韓國的三星電子、海力士和美國的美光瓜分,而NAND FLASH市場幾乎被三星電子、海力士、東芝和閃迪、美光、英特爾佔有。其中三星電子居於壟斷地位,2017年它的DRAM和NAND FLASH全球佔有率分別為45.8%和37%。而目前國內已形成福建晉華、合肥長鑫和紫光集團三大存儲器陣營,其中福建晉華和合肥長鑫主攻DRAM領域,而紫光集團的長江存儲則專注於NAND FLASH領域,三家均聲稱在2018年底實現試產,開通生產線。

競爭對手專利布局

本文的專利文獻數據主要來自國家知識產權局專利檢索與服務系統(S系統)。專利文獻來源包括CNABS(中國專利文獻數據庫)和DWPI(德溫特世界專利索引數據庫)。數據檢索截止時間為2018年8月4日。截止到檢索日,三大巨擘三星、海力士和美光在存儲器領域的專利申請數量分別為1.4868萬件、1.3977萬件和9749件,可見三大企業均具有雄厚的專利技術儲備。圖1是三大巨擘在全球范圍內歷年申請量的年份分布折線圖。從圖中可以看出,三星專利申請起步最早,在經過十幾年的研發后,從1996年開始呈現數倍增長,並在以后20年內每年都維持400件以上的專利申請量,且2005年、2006年的專利申請量更是超過了1000件之多﹔美光從1988年開始申請專利,經過短短6年時間,其專利申請量已與三星基本持平,並從1997年開始維持400件上下的專利申請量﹔海力士起步最晚,從1992年才開始進行專利布局,但是其厚積薄發,從1999年起就始終緊跟三星的腳步,並在2008、2009年達到申請巔峰,年申請量達1500件上下。可見,經過多年積累,三大巨擘在專利申請的數量上已經獲得了絕對優勢,存儲器的入市門檻已經很高。

對三星、海力士、美光三家公司的技術目標區域分布進行統計可以看出,三家公司的技術目標國均主要集中在美國、韓國、日本、中國4個國家,其他國家和地區的佔比較小,且美國和韓國的佔比最大,其中三星、海力士、美光三家公司在美國的佔比分別為32%、53%和60%,三星、海力士兩家公司在韓國的佔比分別為41%和53%。可見,存儲器技術在美國、韓國、日本、中國的專利布局已經鋪開,尤其是美國和韓國已經基本完成了專利布局,而三星、海力士、美光三家公司在中國的佔比分別為11%、12%和11%,說明三家公司的專利布局還沒有完全深入到中國,對中國的布局還未全面展開,中國企業應抓住時機,提早預防。

由於三星、海力士、美光三家公司均在本國擁有較大專利申請量,本文就從專利申請的國際專利分類入手了解一下三家公司在本國的技術分布。圖2是三家公司在本國的技術分布圖,從圖中可以看出,三家公司的專利申請均集中在G11C(靜態存儲器)、H01L(半導體存儲器件)、G06F(電數字數據處理)和H03K(脈沖技術)幾個技術領域中,尤其是涉及存儲器具體設計的G11C(靜態存儲器)和包括了器件結構及制備方法的H01L(半導體存儲器件)這兩個領域的專利申請佔據了三家公司專利申請的絕大部分。可見,三家公司均已掌握了存儲器領域的大量核心技術。

國內企業專利現狀

筆者以福建晉華為例,介紹一下我國存儲器企業專利現狀。福建晉華成立於2016年,截止到檢索日,其在中國提交專利申請42件,在美國提交專利申請20件,且僅有一件專利申請的技術領域是G11C(靜態存儲器),其余專利申請的技術領域均為H01L(半導體存儲器件)。福建晉華在專利數量、技術目標區域分布、技術領域分布等方面均與主要競爭對手存在較大差距。雖然福建晉華在此次訴訟中取得了階段性勝利,但是未來仍需要在聯華電子的技術支持下,快速加大專利儲備。

存儲器行業有著“大者恆大”的行業特征,很容易形成市場壟斷,后來者發展難度極大。基於此,筆者就我國存儲器企業的發展提出如下建議:首先,應積極發掘或引進優秀人才,實現優質的技術發明、專利布局和專利運用。其次,應了解技術發展趨勢,查找技術研究中的空缺,通過技術合作、專利許可等方式,快速切入該領域。最后,由於我國和美國均是芯片的重要市場,各大企業在進行專利申請時,可結合自身市場規劃,在美、日、韓等重要的芯片市場國家提交專利申請,為產品走出去保駕護航。(戴永超)

(責編:王小艷、王珩)

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